- [转帖]ESDS元器件 作者:torch007 时间:2005-1-26 10:01:00
- B1 范围
本附录确定了适用本标准ESD控制大纲要求的l、2和3级元器件。
B2 元2S件适用性要求
B2．1 适用于本标准的ESDS元器件列于表B，1，这些元器件根据元器件类型和敏感度范围来分级。
B3 详细要求
B3．1 1、2和3级元器件
表Bl说明了1、2和3级元器件类型(见5．2)。这种分级的依据是给定元器件类型中有代
表性元器件的试验数据和报告。元器件设计、加工技术或保护电路的差异可能导致元器件不在表B1规定的范围内。
B3．2元器件类型分级
必要时，附录A(补充件)的试验数据可取代表Bl的元器件类型分级。
表Bl 按元器件类型列出的ESDS元器件
1级：敏感电压范围0～1999V
元 器 件 类 型
微波器件(肖特基势垒二极管、点接触二极管和其他工作频率大于1GHz的检测二极管
离散型MOS场效应晶体管
声表面波(SAW)器件
结型场效应晶体管(JEETs)
电荷耦合器件(CCDs)
精密稳压二极管(线或加载电压稳定(0．5％))
运算放大器(OP AMPs)
薄膜电阻器
集成电路
使用1级元器件的混合电路
超高速集成电路(VHSIC)
环境温度100℃时，Io<0．175A的晶体闸流管(SCRs)
2级：敏感电压范围2000-3999V
元 器 件 类 型
由附录A(补充件)试验数据确定为2级的元器件和微电路：
离散型MOS场效应晶体管
结型场效应晶体管(JEETs)
运算放大器(OP AMPs)
集成电路(1Cs)
超高速集成电路(VHSIC)
GJB 1649-93
续表B1
精密电阻网络(R2)
使用2级元器件的混合电路
低功率双极型晶体管，Ptot≤100mW，Ic<100mA
3级：敏感电压范围4000～15999V
元器件类型、
由附录A(补充件)试验数据确定为3级的元器件和微电路：
离散型MOS场效应晶体管
运算放大器(OPAMPs)
集成电路(1Cs)
超高速集成电路(VHSIC)
所有不包括在l级或2级中的其他微电路
Ptot<lW或Io<lA的小信号二极管
普通要求的硅整流器
Io >0．175A的晶体闸流管(SCRs)，
350mW>Ptot>100mW且400mA>IC>100mA的低功率双极型晶体管
光电器件(发光二极管、光敏器件、光耦合器) 、
片状电阻器
使用3级元器件的混合电路 ，
压电晶体
GJB 1649-93
C1 颜色
静电敏感符号可以用与底色有明显对比的任何颜色单色标注 。
建议在黄色底上采用黑色的符号；尽量避免采用红色。
C2 比例尺寸
如果标记位置允许，应按图C1a所示的基本符号进行标注。
需要时，也可以采用图C1b所示的按比例缩小的简化符号。
